Samsung прилага EUV към 14nm DDR5 DRAM производство

Сподели
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  

Samsung заяви във вторник, че е започнало масово производство на 14nm DRAM, като по време на производството се прилага екстремна ултравиолетова (EUV) литография.

Южнокорейският технологичен гигант заяви, че е приложил EUV към пет слоя DDR5 DRAM. Това увеличава производителността на вафла с 20% в сравнение с предишното поколение, каза Samsung. Консумацията на енергия на чип също се подобри приблизително с 20% в сравнение с предишната итерация, добави той.

Samsung заяви, че ще продължи да прилага EUV за повече слоеве DRAM 14nm и по -ниски, за да запази лидерството си на пазара на чипове памет.

Южнокорейският технологичен гигант, който е най -големият производител на чипове памет в света, приложи EUV за производството на DRAM за първи път през март 2020 г.

През март тази година той представи и първия си DDR5 DRAM модул с капацитет 512 GB, който беше направен с осем слоя 16Gb чипове.

За най -новата 14nm DDR5 DRAM, Samsung заяви, че ще предлага модули, използващи 24Gb чипове.

В същото време мобилният бизнес на Samsung пусна кратко видео в публикация в блога за това как тества Galaxy Z Fold 3 и Galaxy Z Flip 3. Клипът показва различните тестове на компанията на устройствата, които включват екологична камера, където различните функции на телефоните се включват, докато преминават през различни температури и климат.

Във видеото устройствата също са показани потопени във вода и сгънати и разгънати с помощта на машини. За Fold 3 други машини се използват за чертане на линии на екрана на устройството с помощта на S Pen, за да се гарантира, че функцията работи.

СВЪРЗАНО ПОКРИТИЕ

Публикациите се превеждат автоматично с google translate

Източник: www.zdnet.com


Сподели
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •